Glossário

• Microcontrolador

• Pino de entrada/saída (I/O)

• Software

• Hardware

• Simulador

• ICE

• Emulador de EPROM

• Assembler

• Arquivo HEX

• Arquivo LIST

• Arquivo Fonte

• Detecção de erros (Debugging)

•  Memória ROM, EPROM, EEPROM, FLASH, RAM

• Endereçamento

• ASCII

• Carry

• Código

• Byte, Kilobyte, Megabyte

• Flag

• Vetor de interrupção ou interrupções

• Programador

• Usart

Memória: ROM, EPROM, EEPROM, FLASH, RAM

São dispositivos capazes de armazenar informações digitais.

A menor unidade de informação que pode ser armazenada é o bit.

Outros tipos de agrupamentos também são muito usuais quando se trata de memória, são eles:

Bit à “0” ou “1”.
Nibble à agrupamento de 4 bits.
Byte à agrupamento de 8 bits ou 2 nibble.
Word à agrupamento de 16 bits ou 2 bytes ou 4 nibble.

TIPOS DE MEMÓRIAS

Memórias Não-Voláteis

Caracterizam- se por não perder os dados gravados ao cessar-se a alimentação elétrica. São  usadas portanto  para  registro  de dados por um tempo mais longo e que não necessitem de  atualização constante.

TIPOS DE MEMÓRIA ROM

1.  ROM é uma memória somente de leitura, ou seja, os dados são armazenados no processo de fabricação, não permitindo nova gravação, não pode ser limpa, aquilo que se escreve nela, permanece para sempre e nunca mais pode ser apagado.

2.  PROM é  uma  ROM  que  é fornecida virgem para o comprador. Este então deve utilizar um equipamento especial para gravar na PROM os dados desejados. A gravação é feita de uma só vez, para toda a capacidade da PROM, e uma vez realizada, não pode mais ser desfeita. A PROM tampouco perde seu conteúdo na ausência de uma fonte de eletricidade. A gravação é feita através da circulação de uma corrente elétrica que rompe o fusível onde deseja-se armazenar o nível lógico “0”.

3.  EPROM é uma PROM que pode ter seus dados apagados e reutilizados. O processo de  apagamento consiste na exposição das células de memória a raios ultravioleta. Por isso, que estas memórias são dotadas de uma “janela” de quartzo.

4.  EEPROM ou E2PROM é uma ROM programável pelo usuário e que pode ser apagada e reprogramada repetidamente através da aplicação de uma tensão mais elevada  que  a  tensão  normal  de  operação.  Diferentemente  das  EPROM’s,  as EEPROM’s não precisam ser removidas do equipamento ou computador para ser modificadas. Entretanto, o apagamento e reprogramação tem de ser feito para todo o  conteúdo  da  EEPROM,  e  não  seletivamente.  O  processo  de  apagamento  e reprogramação tem um número limitado, tipicamente da ordem de dezenas ou centenas de milhares de vezes, ao fim do qual a EEPROM chega ao fim de sua vida útil e deve ser substituída.

pode ser apagada eletricamente usando a tensão a que o microcontrolador funciona.

5.  FLASH ROM

 A  memória  Flash  é  um  tipo  de  memória  não-volátil  (por  ser constantemente alimentada por uma bateria), que pode ser apagada e regravada em unidades de memória chamadas  blocos. É uma variação da EEPROM que, diferentemente  da  memória  Flash,  é  apagada  e  reescrita  byte  por  byte,  um processo mais lento que o feito em blocos. A memória Flash usa tensões usuais do equipamento para apagamento e reprogramação

Memórias Voláteis

Usualmente chamadas de RAM’s

(Random Access Memory),  são caracterizadas  por reter os dados gravados enquanto a eletricidade   é fornecida   a   elas. Assim que o fornecimento cessa, os dados  são perdidos.  A escrita ou leitura a qualquer posição de memória leva o mesmo  tempo. As memórias SRAM dividem-se basicamente em RAM’s estáticas e RAM’s dinâmicas.

TIPOS DE MEMÓRIA RAM

1.  SRAM

a memória SRAM armazena bits em células  de  tipo  flip-flop,  que  retém  a  informação até que  esta  seja  alterada, diferentemente  das  RAM’s  dinâmicas,  que  utilizam  células compostas  de  um capacitor e um transistor. Como o capacitor perde sua carga em um determinado tempo, as RAM’s dinâmicas têm de ter seu conteúdo periodicamente restabelecido, numa operação chamada refresh.

As SRAM são muito mais rápidas que as  RAM’s dinâmicas, e por isto mesmo mais caras.  São usadas  na  memória    cache  de  um  computador,  uma  memória especializada  que serve  de  intermediária  entre  os  bancos  principais  de  RAM dinâmica e o microprocessador. A  cache, tipicamente de tamanho na faixa de 64Kbytes  a  2Mbytes, replica  dados  dos  bancos  principais  de  RAM  dinâmica, permitindo que o microprocessador ou CPU colete diretamente na cache os dados, sem precisar buscá-los na RAM dinâmica, mais lenta. O seu alto custo é o motivo principal  pelo  qual  os  bancos principais  de  RAM  de  um  computador  não  são confeccionados todos em SRAM.

2.  DRAM (Dinamic Random Access Memory):

As memórias DRAM são o tipo mais comum de RAM para uso em computadores pessoais ou de maior porte. A DRAM é dinâmica porque, ao contrário da SRAM, precisa restabelecer o conteúdo de suas células de armazenamento periodicamente (na faixa de  milissegundos – ex.: 32 ms), no processo chamado refresh. A SRAM é isenta de refresh pois as células de memórias consistem em flip-flop’s, ao invés de uma célula de armazenamento que mantém uma carga, como o capacitor. Esta célula é composta de um capacitor da ordem de fento faraday (10-15). O refresh consiste em percorrer todas as linhas da memória. Por exemplo, uma memória de 4Mbit possui 2048 linhas e 2048 colunas. Vamos supor que o tempo de acesso desta memória seja de 100ns, então para acessar todas as linhas são necessário 0,2ms (2048 linhas x 100ns = 0,2ms), como o tempo máximo entre um refresh e outro é de 32ms, restam 31,8ms para uso da memória.

3.  FPM-RAM

Este tipo de memória guarda o valor da última linha acessada, portanto, para os próximos dados acessados na mesma linha, o controlador de memória não precisará enviar à memória o valor da linha, somente o da coluna. Com isso,  o acesso seqüencial é mais rápido. O primeiro dado acessado demorará o tempo normal, mas o acesso aos demais dados da mesma linha será mais rápido.

4.  EDO-RAM

A EDO RAM também trabalha com acesso seqüenciais, com a diferença que acontecem de forma mais rápida. Isto só foi possível com a adição de um latch na saída de dados.

5.  BEDO-RAM (Burst Extended Data Out) RAM

A memória BEDO é muito parecida com a memória EDO, porém na BEDO ao invés de informar a LINHA – COLUNA – COLUNA – COLUNA, é necessário apenas informar a LINHA – COLUNA e as colunas seguintes são geradas automaticamente.

6.  SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)

A SDRAM, além de ser sincronizada pelo clock do barramento, também tem um contador interno que faz com que o controlador de memória não precise requisitar novos dados, caso eles sejam consecutivos, e principalmente, possui duas  matrizes  de  capacitores,  fazendo  com  que  seja  possível  dois acessos  a endereços diferentes serem iniciados em paralelo. O acesso à memória SDRAM  é feito através de comandos, tornando-se uma memória mais "inteligente" do que as demais.

7.  DDR-RAM (Doubled Data Rate RAM)

A memória DDR é uma SDRAM com a taxa de dados dobrada. Ela trabalha com duas  memórias  SDRAM  em  paralelo,  permitindo  assim  dobrar  a  taxa  de transferência de dados. Ela é capaz de entregar dois dados por cada ciclo de clock, um sincronizado pela borda de subida e outro pela borda de descida.

As memórias são compostas por três conjuntos de fios, ou seja, três barramentos, são eles:

Barramento  de  Endereço  é o  conjunto  de  fios  por  onde  são  acessados  os endereços dos dados armazenados.

O barramento de endereço é unidirecional, ou seja, a informação trafega apenas em um sentido (entrada).

Barramento  de  Dados  à  conjunto  de  fios  por  onde  os  dados  trafegam.  O barramento  de  dados  pode  ser  bidirecional  (a  informação  pode  trafegar  num sentido ou no outro – entrada/saída) ou unidirecional.

Sinais de Controle à conjunto de fios que indicam se a memória está selecionada

(CS – Chip Select), se é um processo de escrita (WR – Write), de leitura (RD – Read) ou OE (Output Enable – habilita a saída do dado o mesmo que RD).